Intel 7nm关键指标泄漏:比肩3nm

时间:2021-03-29 13:49:39       来源:快科技

这几天,Intel公布了雄心勃勃的IDM 2.0战略,将投资200亿美元建设两座半导体晶圆厂,7nm工艺要在2023年量产,目标是要重回半导体领先地位。

在14nm节点之前,特别是22nm首发3D晶体管FinFET工艺之后,Intel在2014年之前可以说是全球最先进的半导体工厂,官方PPT曾经表示他们领先友商至少3.5年,考虑到当时三星、台积电的情况,Intel此言不虚。

当然,这几年情况变了,14nm工艺虽然性能很好,但是从2014到现在都用了7年了,台积电三星这几年中可是从28nm一路升级到了5nm工艺,明年都要量产3nm工艺了。

Intel今年的主力会是10nm,下一个节点7nm原定是2021年,不过跳票到了2023年,首款CPU产品将是Meteor Lake,今年Q2季度会Tape in,也就是完成设计工作,即将进入流片阶段。

那Intel的7nm工艺到底如何?现在还没明确消息,不过业界大站Anandtech的主编Ian Cutress公布了一些数据,对比了不同工艺的晶体管密度,如下所示:

台积电的5nm工艺密度是1.71亿晶体管/mm2,3nm工艺可达2.9亿晶体管/mm2,而Intel的10nm工艺是1.01亿晶体管/mm2,7nm节点可达2-2.5亿晶体管/mm2。

对比的话,Intel的7nm工艺按最高水平来看,非常接近台积电的3nm工艺,哪怕在2023年问世,有这个水平的话也不比台积电差多少,不像现在这样14nm、10nm工艺被7nm、5nm遥遥领先。

当然,以上都是极限水平,实际表现还要看处理器的具体情况,只是现在这个数据足以说明Intel的7nm工艺不容小觑,耐心等待两年,或许Intel真的王者归来了。

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