SK海力士:已完成基于高k金属栅技术的低功耗双数据速率LPDDR5X芯片的开发

时间:2022-11-10 11:44:16       来源:IT之家

11 月 10 日消息,SK 海力士 9 日表示,已完成基于高 k 金属栅 (HKMG) 技术的低功耗双数据速率 LPDDR5X 芯片的开发,并开始销售。据介绍,该芯片是业界首款基于 HKMG 创新的移动 DRAM。

这是SK 海力士首次在移动 DRAM 上采用了 HKMG 工艺,实现了比上一代提高 33% 的 8.5Gbps 的运行速度,并大幅降低了耗电量。

IT之家获悉,新一代 LPDDR5X 芯片的功耗比上一代降低了25%,满足 JEDEC 设定的 1.01V 到 1.12V 的超低电压范围,可实现业界最高的用电效率,更加省电。

就移动端芯片而言,功耗是最重要的考量因素。毕竟目前手机续航有限,因此为了尽可能延长其使用时间,各大厂商都在想办法保证性能的同时尽可能降低其耗电量。

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